A Compact Model-Based Threshold Voltage Distribution Simulation of 3D Gate-All-Around (GAA) NAND Flash Memories
Author:
Affiliation:
1. Seoul National University,Korea
Publisher
IEEE
Link
http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/10511270/10511310/10511809.pdf?arnumber=10511809
Reference5 articles.
1. Modeling of program Vth distribution for 3-D TLC NAND flash memory
2. Analytical Model for the Electron-Injection Statistics During Programming of Nanoscale nand Flash Memories
3. Investigation of Program Noise in Charge Trap Based 3D NAND Flash Memory
4. A Compact Model for ISPP of 3-D Charge-Trap NAND Flash Memories
5. Semi-Analytical Model for the Transient Operation of Gate-All-Around Charge-Trap Memories
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