Resistance Drift Reset State and Read Voltage Dependencies in Phase Change Memory
Author:
Affiliation:
1. Technion – Israel Institute of Technology,Israel
Publisher
IEEE
Link
http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/10511270/10511310/10511715.pdf?arnumber=10511715
Reference13 articles.
1. Phase Change Memory
2. Nanoelectronic Programmable Synapses Based on Phase Change Materials for Brain-Inspired Computing
3. Sub-Nanosecond Pulses Enable Partial Reset for Analog Phase Change Memory
4. Write Strategies for 2 and 4-bit Multi-Level Phase-Change Memory
5. Programming algorithms for multilevel phase-change memory
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