A Guideline for Silicon Carbide MOSFET Thermal Characterization based on Source-Drain Voltage
Author:
Affiliation:
1. Aalborg University,AAU Energy,Aalborg,Denmark
2. Southwest Jiaotong University,Chengdu,China
3. Nexperia UK LTD,United Kingdom
4. Siemens Digital Industries Software,United States
Publisher
IEEE
Link
http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/10131044/10130846/10131449.pdf?arnumber=10131449
Reference14 articles.
1. Power cycling methods for SiC MOSFETs
2. Challenges of SiC MOSFET power cycling methodology;gothner;Proc 20th Eur Conf Power Electron Appl (EPE'18 ECCE Europe),2018
3. Semiconductor Power Devices
4. Difference in Device Temperature Determination Using p-n-Junction Forward Voltage and Gate Threshold Voltage
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