Comparative Analysis of Matching Networks for Low Noise Amplifier Design using ASM GaN HEMT for Ka Band
Author:
Affiliation:
1. SVNIT,Dept. of Electronics,Surat,India
Publisher
IEEE
Link
http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/9938124/9938145/09938178.pdf?arnumber=9938178
Reference29 articles.
1. A 24–30 ghz cmos Ina with 2.05db nf and 0.6db in-band gain ripple for 5g-applications;zhou;2018 IEEE MTT-S International Wireless Symposium (IWS),0
2. ASM-HEMT: Compact model for GaN HEMTs
3. Modeling DC, RF and noise behavior of GaN HEMTs using ASM-HEMT compact model
4. Non-Linear RF Modeling of GaN HEMTs with Industry Standard ASM GaN Model (Invited)
Cited by 1 articles. 订阅此论文施引文献 订阅此论文施引文献，注册后可以免费订阅5篇论文的施引文献，订阅后可以查看论文全部施引文献
1. An Improved Noise Modeling Method Using a Quasi-Physical Zone Division Model for AlGaN/GaN HEMTs;IEEE Transactions on Electron Devices;2023-04
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