AlGaN/GaN HEMT development targeted for X-band applications
Author:
Publisher
IEEE
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http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/6679354/6685224/06685272.pdf?arnumber=6685272
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1. 2DEG-Concentration-Modulated High-Power-Density AlGaN/GaN RF HEMTs;IEEE Electron Device Letters;2024-07
2. A 4.5-W, 18.5–24.5-GHz GaN Power Amplifier Employing Chebyshev Matching Technique;IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems;2023-02
3. A Wideband High-Efficiency GaN MMIC Power Amplifier for Sub-6-GHz Applications;Micromachines;2022-05-20
4. GaN HEMT Oscillator in Phase Locked Loop for Solar-cell and PV Unit application;2019 IEEE International Conference on Consumer Electronics - Taiwan (ICCE-TW);2019-05
5. An 4.7 GHz low‐power cross‐coupled GaN HEMT oscillator;Microwave and Optical Technology Letters;2018-09-26
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