Design considerations for GaN based MMICs
Author:
Publisher
IEEE
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http://xplorestaging.ieee.org/ielx5/5356753/5385934/05386036.pdf?arnumber=5386036
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1. 60W Stacked-HEMT Based Asymmetric X-Band GaN SPDT Switch for Single Chip T/R Modules;2023 18th European Microwave Integrated Circuits Conference (EuMIC);2023-09-18
2. A High-Power and Broadband GaN SPDT MMIC Switch Using Gate-Optimized HEMTs;IEEE Microwave and Wireless Technology Letters;2023-08
3. X-band MMICs for a Low-Cost Radar Transmit/Receive Module in 250 nm GaN HEMT Technology;Sensors;2023-05-17
4. GaN based High Power SPDT Switch for Single Chip X-Band T/R Module Front-End;2021 1st International Conference on Microwave, Antennas & Circuits (ICMAC);2021-12-21
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