A 4T GC-eDRAM Bitcell with Differential Readout Mechanism For High Performance Applications
Author:
Affiliation:
1. Bar Ban University,EnICS Labs, Faculty of Engineering,Ramat Gan,Israel,5290002
Publisher
IEEE
Link
http://xplorestaging.ieee.org/ielx8/10559643/10559661/10559672.pdf?arnumber=10559672
Reference11 articles.
1. High-performance SRAM in nanoscale CMOS: Design challenges and techniques
2. Efficient Implementation of Many-Ported Memories by Using Standard-Cell Memory Approach
3. IOT Diff.-Signal SRAM Design in a 14-nm FinFET Techn. for High-Speed Application;Ichihashi;IEEE SOCC,2018
4. An 8T-SRAM for Variability Tolerance and Low-Voltage Operation in High-Performance Caches
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