Proton and gamma radiation of 0.13 µm 200 GHz NPN SiGe:C HBTs featuring an airgap deep trench isolation

Author:

Put S.,Qureshi M.,Simoen E.,Van Huylenbroeck S.,Venegas R.,Claeys C.,Van Uffelen M.,Leroux P.,Berghmans F.

Publisher

IEEE

Cited by 2 articles. 订阅此论文施引文献 订阅此论文施引文献,注册后可以免费订阅5篇论文的施引文献,订阅后可以查看论文全部施引文献

1. The Effects of Carbon Doping on the Single-Event Transient Response of SiGe HBTs;IEEE Transactions on Nuclear Science;2023-08

2. Introduction;Research on the Radiation Effects and Compact Model of SiGe HBT;2017-10-24

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