State of the Art and Future Perspectives in III-V Nanometer-Scale MOSFETs
Author:
Affiliation:
1. Global Institute of Management and Technology,ECE Department,India
2. MCKV Institute of Engineering,ECE Department,India
3. Kalyani Govt. Engg. College,ECE Department,India
Publisher
IEEE
Link
http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/9811418/9811430/09811490.pdf?arnumber=9811490
Reference46 articles.
1. Self-aligned InGaAs FinFETs with 5-nm fin-width and 5-nm gate-contact separation
2. High aspect ratio InGaAs FinFETs with sub-20 nm fin width
3. In0.53Ga0.47As-Based nMOSFET Design for Low Standby Power Applications
4. Investigation of InxGa1−xAs FinFET architecture with varying indium (x) concentration and quantum confinement
5. Impact of fin width scaling on carrier transport in III-V FinFETs
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