A 4.8-6.4-GHz GaN MMIC Front-End Module with Enhanced Back-off Efficiency and Compact Size
Author:
Affiliation:
1. Tsinghua University,China
Publisher
IEEE
Link
http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/10186107/10186112/10186156.pdf?arnumber=10186156
Reference9 articles.
1. A 700-2800MHz Switchless Class-G Power Amplifier with Two-Quadrant Modulation for Back-off Efficiency Improvement
2. A Linear High-Power Reconfigurable SOI-CMOS Front-End Module for WI-FI 6/6E Applications
3. Broadband GaN MMIC Doherty Power Amplifier Using Continuous-Mode Combining for 5G Sub-6 GHz Applications;pang;IEEE J Solid-State Circuits,2022
4. A 24–29.5-GHz Highly Linear Phased-Array Transceiver Front-End in 65-nm CMOS Supporting 800-MHz 64-QAM and 400-MHz 256-QAM for 5G New Radio
5. S-Band GaN Single-Chip Front End for Active Electronically Scanned Array With 40-W Output Power and 1.75-dB Noise Figure
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