Ferroelectric hafnium oxide: A CMOS-compatible and highly scalable approach to future ferroelectric memories

Author:

Muller J.1,Boscke T. S.2,Muller S.3,Yurchuk E.3,Polakowski P.1,Paul J.1,Martin D.3,Schenk T.3,Khullar K.3,Kersch A.4,Weinreich W.1,Riedel S.1,Seidel K.1,Kumar A.5,Arruda T. M.5,Kalinin S. V.5,Schlosser T.6,Boschke R.6,van Bentum R.6,Schroder U.3,Mikolajick T.3

Affiliation:

1. Fraunhofer IPMS-CNT, Dresden, Germany

2. Bosch Solar Energy, Erfurt, Germany

3. NaMLab gGMBH, Dresden, Germany

4. FH-München, München, Germany

5. ORNL, Oak Ridge, TN, U.S.A.

6. GLOBALFOUNDRIES, Dresden, Germany

Publisher

IEEE

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