Novel Bit-by-bit Repair to Demonstrate STT-MRAM as NV-RAM
Author:
Affiliation:
1. NS-Poles Technology Corp.,Zhuhai City,China
Publisher
IEEE
Link
http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/9770952/9770961/09770971.pdf?arnumber=9770971
Reference6 articles.
1. 2 MB Array-Level Demonstration of STT-MRAM Process and Performance Towards L4 Cache Applications
2. 1Gbit High Density Embedded STT-MRAM in 28nm FDSOI Technology
3. Thermal fluctuations of a single-domain particle;brown;Phys Rev,1963
4. Demonstration of an MgO based anti-fuse OTP design integrated with a fully functional STT-MRAM at the Mbit level
5. Embedded STT-MRAM in 28-nm FDSOI Logic Process for Industrial MCU/IoT Application
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