Investigation of Deep Dry Etching of 4H SIC Material for MEMS Applications Using DOE Modelling
Author:
Publisher
IEEE
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http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/9375130/9375148/09375268.pdf?arnumber=9375268
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1. Improved multi-recessed p-buffer 4H–SiC metal-semiconductor field-effect transistor with high power added efficiency;Current Applied Physics;2023-05
2. Silicon Carbide Reinforced Vertically Aligned Carbon Nanotube Composite for Harsh Environment Mems;2023 IEEE 36th International Conference on Micro Electro Mechanical Systems (MEMS);2023-01-15
3. Experimental Investigation on Ablation of 4H-SiC by Infrared Femtosecond Laser;Micromachines;2022-08-11
4. Piezoresistive 4H-Silicon Carbide (SiC) pressure sensor;2021 IEEE Sensors;2021-10-31
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