Energy Efficient Reduced Area Overhead Spin-Orbit Torque Non-Volatile SRAMs
Author:
Publisher
IEEE
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http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/9254213/9254215/09254623.pdf?arnumber=9254623
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1. Enabling Normally-Off In Situ Computing With a Magneto-Electric FET-Based SRAM Design;IEEE Transactions on Electron Devices;2024-04
2. Highly Reliable, Stable, and Store Energy Efficient 8T/9T-2D-2MTJ NVSRAMs;IEEE Transactions on Nanotechnology;2024
3. An 8T PA Attack Resilient NVSRAM for In-Memory-Computing Applications;IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers;2023-09
4. A Novel STT–SOT MTJ-Based Nonvolatile SRAM for Power Gating Applications;IEEE Transactions on Electron Devices;2022-03
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