BGaN back barrier engineering on E-mode T-gate double heterostructure HEMT for high RF applications
Author:
Affiliation:
1. Delhi Technological University,Department of Applied Physics,Delhi,Rohini,India
Publisher
IEEE
Link
http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/10064685/10064710/10065031.pdf?arnumber=10065031
Reference17 articles.
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