GaN-on-Si mm-wave RF Devices Integrated in a 200mm CMOS Compatible 3-Level Cu BEOL
Author:
Publisher
IEEE
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http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/9371868/9371888/09372056.pdf?arnumber=9372056
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1. Solutions To Improve HBM ESD Robustness of GaN RF HEMTs;2023 45th Annual EOS/ESD Symposium (EOS/ESD);2023-10-02
2. ON-State Human Body Model ESD Failure Mechanisms in GaN-on-Si RF MIS-HEMTs;IEEE Electron Device Letters;2023-08
3. Characteristics Comparison of Nanochannel GaN-on-Si and GaN-on-SiC HEMTs;ECS Journal of Solid State Science and Technology;2023-07-01
4. RF linearity trade-offs for varying T-gate geometries of GaN HEMTs on Si;International Journal of Microwave and Wireless Technologies;2023-03-20
5. RF Enhancement-Mode p-GaN Gate HEMT on 200 mm-Si Substrates;IEEE Electron Device Letters;2023-01
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