A Study of Total Dose Radiation Effects in Ka-Band Fractional-N PLLs in 45nm SiGe BiCMOS
Author:
Affiliation:
1. Texas A&M University,Analog and Mixed-Signal Center,USA
2. Air Force Research Laboratory,USA
3. The Ohio State University,Electroscience Laboratory,USA
Publisher
IEEE
Link
http://xplorestaging.ieee.org/ielx8/10599936/10599927/10600040.pdf?arnumber=10600040
Reference8 articles.
1. 415/610GHz fT/fMAX SiGe HBTs Integrated in a 45nm PDSOI BiCMOS process
2. Total-Ionizing-Dose Response of SiGe HBTs at Elevated Temperatures
3. A 30-GHz Power-Efficient PLL Frequency Synthesizer for 60-GHz Applications
4. A Single-Chip 125-MHz to 32-GHz Signal Source in 0.18-$\mu$m SiGe BiCMOS
5. Source Switched Charge-Pump PLLs for High-Dose Radiation Environments
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