Asymmetrical Write-assist for single-ended SRAM operation
Author:
Publisher
IEEE
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http://xplorestaging.ieee.org/ielx5/5379508/5397993/05398086.pdf?arnumber=5398086
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1. A low-leakage and high-writable SRAM cell with back-gate biasing in FinFET technology;Journal of Computational Electronics;2019-03-28
2. A robust and low-power near-threshold SRAM in 10-nm FinFET technology;Analog Integrated Circuits and Signal Processing;2018-01-22
3. Ultra‐low leakage SRAM design with sub‐32 nm tunnel FETs for low standby power applications;Micro & Nano Letters;2016-12
4. Single-Ended Subthreshold SRAM With Asymmetrical Write/Read-Assist;IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers;2010-12
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