Development of Raman Spectroscopy for Defect Analysis in SiC Devices
Author:
Affiliation:
1. WOW Alliance, Tokyo Institute of Technology,Midori-ku, Yokohama,Japan,226-8503
Publisher
IEEE
Link
http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/10348606/10348630/10348747.pdf?arnumber=10348747
Reference4 articles.
1. Raman scattering from anisotropic LOphonon-plasmon-coupled mode in n-type 4H- and 6H-SiC;Harima;J. Appl. Phys,1996
2. Development of Hyperspectral Imaging Method for Analysis of GaN and SiC Semiconductor Devices;Milikofu;JSAE Annual Congress,2021
3. Development of a method to evaluate the stress distribution in 4H-SiC power devices
4. Raman scattering microscopy imaging of basal plane stacking faults and associated partial dislocations in 4H-SiC crystals
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