Ion implantation impurity profiles in HfO/sub 2/
Author:
Publisher
Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
Subject
Electrical and Electronic Engineering,Electronic, Optical and Magnetic Materials
Link
http://xplorestaging.ieee.org/ielx5/16/22234/01036097.pdf?arnumber=1036097
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1. Ion implantation into Si covered by HfO<formula><inf><roman>2</roman></inf></formula> or SiO<formula><inf><roman>2</roman></inf></formula> film;SPIE Proceedings;2004-12-08
2. Molecular dynamics simulation of ion implantation into hafnium dioxide;Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms;2004-12
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