Design of a Shielded-Gate TMBS
Author:
Affiliation:
1. Xi'an University of Posts and Telecommunications,Xi'an,China
Publisher
IEEE
Link
http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/10493201/10493208/10493817.pdf?arnumber=10493817
Reference10 articles.
1. A low turn-on voltage vertical GaN SBD with improved heat dissipation
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3. A novel trench Schottky rectifier structure with controlled conductivity modulation
4. Evaluation by Simulation of AlGaN/GaN Schottky Barrier Diode (SBD) With Anode-Via Vertical Field Plate Structure;Wang,2018
5. Temperature-Dependent Performance of Schottky-Barrier FET Ultra-Low-Power Diode;Schwarz,2021
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