DC-110 GHz Characterization of 22FDX® FDSOI Transistors for 5G Transmitter Front-End
Author:
Affiliation:
1. Fraunhofer IPMS - CNT,Dresden,Germany
2. GlobalFoundries,Dresden,Germany
Publisher
IEEE
Link
http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/8894830/8901681/08901762.pdf?arnumber=8901762
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1. Design and Analysis of a 140-GHz T/R Front-End Module in 22-nm FD-SOI CMOS;IEEE Journal of Solid-State Circuits;2022-05
2. Large-Signal Modeling for Nonlinear Analysis of Experimental Devices in 22nm FDSOI Technology;2021 16th European Microwave Integrated Circuits Conference (EuMIC);2022-04-03
3. Analysis of RF Stress Influence on Large-Signal Performance of 22nm FDSOI CMOS Transistors utilizing Waveform Measurement;2021 16th European Microwave Integrated Circuits Conference (EuMIC);2022-04-03
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