Sub-10-nm Diameter GaSb/InAs Vertical Nanowire Esaki Diodes with Ideal Scaling Behavior: Experiments and Simulations
Author:
Affiliation:
1. MIT,Microsystems Technology Laboratories,Cambridge,MA,USA,02139
2. Université Paris-Saclay, CNRS, C2N,Palaiseau,France,F-91120
3. University of Udine,DPIA,Udine,Italy,33100
Funder
Intel Corporation
Publisher
IEEE
Link
http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/9720433/9720494/09720540.pdf?arnumber=9720540
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1. Full quantum simulation of Shockley–Read–Hall recombination in p-i-n and tunnel diodes;Solid-State Electronics;2022-12
2. In-situ U Pb geochronology of vesuvianite in skarn deposits;Chemical Geology;2022-12
3. Sub-10-nm Diameter Vertical Nanowire p-Type GaSb/InAsSb Tunnel FETs;IEEE Electron Device Letters;2022-06
4. Scaling of GaSb/InAs Vertical Nanowire Esaki Diodes Down to Sub-10-nm Diameter;IEEE Transactions on Electron Devices;2022-04
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