Device Design and Reliability of GAA MBCFET

Author:

Kang M.1,Chang M.1,Park Y.1,Noh C.1,Hong S. H.1,Park B.1,Park Y. H1,Jung Y.C1,Lim W.S.1,Kim G.H.1,Lee Y.1,Yang H.1,Shin D.1,Yang J. G.1,Cho K. H.1,Jeong W. C.1,Cho H.-J1,Kwon W. H.1,Kim D.W.1,Rim K.1,Song J. H.1

Affiliation:

1. Semiconductor R&D Center and Innovation Center, Samsung Electronics,Hwangsung City,Korea,445–701

Publisher

IEEE

同舟云学术

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