NBTI Characterization with in Situ Poly Heater
Author:
Affiliation:
1. Onsemi,Corporate Research and Development,East Greenwich,RI,USA,02818
Publisher
IEEE
Link
http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/9764406/9764408/09764483.pdf?arnumber=9764483
Reference18 articles.
1. Unambiguous identification of the NBTI recovery mechanism using ultra-fast temperature changes
2. Comparison of MOSFET Threshold Voltage Extraction Methods with Temperature Variation
3. Fast wafer level reliability monitoring as a tool to achieve automotive quality for a wafer process
4. Negative bias stress of MOS devices at high electric fields and degradation of MNOS devices
5. The negative bias temperature instability in MOS devices: A review
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