Reliability issues of gate oxides and $p-n$ junctions for vertical GaN metal–oxide–semiconductor field-effect transistors (Invited)

Author:

Narita Tetsuo1,Kikuta Daigo1,Ito Kenji1,Shoji Tomoyuki1,Mori Tomohiko1,Yamaguchi Satoshi1,Kimoto Yasuji1,Tomita Kazuyoshi2,Kanechika Masakazu2,Kondo Takeshi2,Uesugi Tsutomu2,Kojima Jun2,Suda Jun2,Nagasato Yoshitaka3,Ikeda Satoshi3,Watanabe Hiroki4,Kosaki Masayoshi5,Oka Tohru5

Affiliation:

1. Toyota Central R&D Labs., Inc.,Nagakute,Aichi,Japan,480-1192

2. Institute of Materials and Systems for Sustainability (IMaSS), Nagoya University,Nagoya,Japan,464-8601

3. MIRISE Technologies Corporation,Nisshin,Aichi,Japan,470-0111

4. DENSO CORPORATION,Nisshin,Aichi,Japan,470-0111

5. TOYODA GOSEI Co., Ltd,Ama,Aichi,Japan,490-1207

Publisher

IEEE

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