Unsafe Writing Impacts on the Stateful Memristor Gates
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Publisher
IEEE
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http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/9179985/9180369/09180672.pdf?arnumber=9180672
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1. High throughput N-modular redundancy for error correction design of memristive stateful logic;Chinese Physics B;2023-01-01
2. A failure analysis framework of ReRAM In-Memory Logic operations;2022 IEEE International Test Conference in Asia (ITC-Asia);2022-08
3. Making Memristive Processing-in-Memory Reliable;2021 28th IEEE International Conference on Electronics, Circuits, and Systems (ICECS);2021-11-28
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