Modeling of Copper Hybrid Bonding Anneal
Author:
Affiliation:
1. Tokyo Electron America, Inc.,Austin,Texas,U.S.A
2. Purdue University,West Lafayette,Indiana,United States
3. TEL Technology Center, America, LLC,Albany,NY,U.S.A.
Publisher
IEEE
Link
http://xplorestaging.ieee.org/ielx8/10564841/10564831/10565113.pdf?arnumber=10565113
Reference7 articles.
1. New Cu “Bulge-Out” Mechanism Supporting SubMicron Scaling of Hybrid Wafer-to-Wafer Bonding
2. Stress and electromigration in Al-lines of integrated circuits
3. A phase field computational procedure for electromigration with specified contact angle and diffusional anisotropy
4. Mass transport at interfaces in single component systems
5. A Noncontact Method for Estimating Thin Metal Film Adhesion Strength Through Current-Induced Void Growth
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