Analog/mmWave Circuit Demonstrations in State-of-the-Art SiGe BiCMOS Process for 5G and Optical Transceivers
Author:
Affiliation:
1. GlobalFoundries,Bangalore,India
Publisher
IEEE
Link
http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/10310176/10310665/10310735.pdf?arnumber=10310735
Reference10 articles.
1. A 60 GHz bandwidth differential linear TIA in 130 nm sige:C BiCMOS with < 5.5 pA/√Hz
2. The Transimpedance Limit
3. A Linear 65-GHz Bandwidth and 71-dBΩ Gain TIA With 7.2 pA/√Hz in 130-nm SiGe BiCMOS
4. A 90nm SiGe BiCMOS technology for mm-wave and high-performance analog applications
5. Performance Improvements of SiGe HBTs in 90nm BiCMOS Process with fT/fmax of 340/410 GHz
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