Zn杂质诱导GaInP/AlGaInP红光半导体激光器量子阱混杂的研究
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Shanghai Institute of Optics and Fine Mechanics
Reference28 articles.
1. Simulation analysis of 2 μm InGaAsSb/AlGaAsSb laser diode with dual waveguide;Ning AN;Acta Photonica Sinica,2016
2. 2 μm InGaAsSb/AlGaAsSb双波导半导体激光器的结构设计;安宁;光子学报,2016
3. Research on quantum well intermixing of 680 nm AlGaInP/GaInP semiconductor lasers induced by composited Si-Si3N4 dielectric layer;T HE;Journal of Semiconductors,2022
4. 基于SiO2薄膜的915 nm半导体激光器的无杂质空位诱导量子阱混合研究;王鑫;光子学报,2018
5. Impurity-free vacancy diffusion induces quantum well intermixing in 915 nm semiconductor laser based on SiO2 film;Xin WANG;Acta Photonica Sinica,2018
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