Impact of Oxidation Layer in the Resistive Switching Behavior of Nitride-Based Memristor Devices

Author:

Zhang Di1,Dhall Rohan23,Song Chengyu23,Schneider Matt4,House Stephen5,Kunwar Sundar1,Dou Hongyi6,Cuccienco Nick1,Ciston Jim23,Watt John1,Kuo Winson1,Pettes Michael1,Wang Haiyan6,McCabe Rodney4,Chen Aiping1

Affiliation:

1. Center for Integrated Nanotechnologies, Los Alamos National Laboratory , Los Alamos, NM , USA

2. National Center for Electron Microscopy , Molecular Foundry, , Berkeley, CA , USA

3. Lawrence Berkeley National Laboratory , Molecular Foundry, , Berkeley, CA , USA

4. Materials Science and Technology Division, Los Alamos National Laboratory , Los Alamos, NM , USA

5. Center for Integrated Nanotechnologies, Sandia National Laboratories , Albuquerque, NM , USA

6. School of Materials Engineering, Purdue University , West Lafayette, IN , USA

Publisher

Oxford University Press (OUP)

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