Annealing of radiation damage in MOS devices: Study by diode parameter determination
Author:
Publisher
EDP Sciences
Subject
Condensed Matter Physics,Instrumentation,Electronic, Optical and Magnetic Materials
Link
http://epjap.epj.org/10.1051/epjap:1999114/pdf
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1. Ge nanocrystals embedded in SiO2 in MOS based radiation sensors;Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms;2010-11
2. Temperature cycling of MOS-based radiation sensors;Sensors and Actuators A: Physical;2008-01
3. A Model of Gamma-Ray Irradiation Effects in Silicon Dioxide Films and on Silicon Dioxide - Silicon Interface;Materials Science Forum;2007-09
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