Modifications du travail de sortie des surfaces clivées de GaAs, liées au refroidissement
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Publisher
EDP Sciences
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http://jphys.journaldephysique.org/10.1051/jphys:019840045070119100/pdf
Reference10 articles.
1. Methods of determining surface state energies
2. Temperature- and illumination-dependence of the work function of gallium arsenide
3. Surface states at clean, cleaved GaAs(110) surfaces
4. Sur la contribution des differents porteurs à la zone de charge d'espace d'un semiconducteur multivallée
5. Sur l'utilisation des modifications de barrière de surface avec la température pour caractériser les états de surface
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1. Work function variations of the Ag/GaSb (110) interface at room and low temperature;Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films;1991-07
2. Investigation of electron processes at the p and n type Si(111) real surface by the surface photovoltage method;Surface Science;1990-05
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