Sur la contribution des differents porteurs à la zone de charge d'espace d'un semiconducteur multivallée
Author:
Publisher
Elsevier BV
Subject
Materials Chemistry,Surfaces, Coatings and Films,Surfaces and Interfaces,Condensed Matter Physics
Reference14 articles.
1. Space Charge Calculations for Semiconductors
2. Surface photovoltage and internal photoemission at the anodized InSb surface
3. Determination of surface state parameters from surface photovoltage transients: CdS
4. Methods of determining surface state energies
5. Temperature- and illumination-dependence of the work function of gallium arsenide
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1. Investigation of electron processes at the p and n type Si(111) real surface by the surface photovoltage method;Surface Science;1990-05
2. Barrière de surface d'un semiconducteur en fonction de la température dans le cas de distributions complexes d'états. Calcul et exploitation;Journal de Physique;1984
3. Modifications du travail de sortie des surfaces clivées de GaAs, liées au refroidissement;Journal de Physique;1984
4. Sur l'utilisation des modifications de barrière de surface avec la température pour caractériser les états de surface;Thin Solid Films;1982-05
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