AES, EELS and TRIM simulation method study of InP(100) subjected to Ar+, He+and H+ions bombardment.
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EDP Sciences
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http://www.epj-conferences.org/10.1051/epjconf/20122900020/pdf
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1. CMOS-Compatible Contacts to n-InP;IEEE Transactions on Electron Devices;2017-11
2. Phase formation sequence in the Ti/InP system during thin film solid-state reactions;Journal of Applied Physics;2017-06-28
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