Epitaxie par jets moléculaires de In0,53Ga0,47As et de InP sur substrats de InP
-
Published:1983
Issue:12
Volume:18
Page:757-761
-
ISSN:0035-1687
-
Container-title:Revue de Physique Appliquée
-
language:
-
Short-container-title:Rev. Phys. Appl. (Paris)
Author:
Lambert M.,Huet D.
Cited by
15 articles.
订阅此论文施引文献
订阅此论文施引文献，注册后可以免费订阅5篇论文的施引文献，订阅后可以查看论文全部施引文献