Caractérisation par diffraction X des superréseaux GaAlAs-GaAs. Importance des techniques et de la procédure utilisées
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EDP Sciences
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http://rphysap.journaldephysique.org/10.1051/rphysap:01989002407071100/pdf
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1. X‐ray diffraction study of intentionally disordered GaAlAs‐GaAs superlattices
2. Observation of one‐monolayer size fluctuations in a GaAs/GaAlAs superlattice
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3. X-Ray Diffraction Analysis of the In/Ga and In/Al Interface Diffusion in Superlattices (GaAs)n(InAs)(AlAs)n/GaAs(001) and (AlAs)n(InAs)(GaAs)n/GaAs(001);Journal of Solid State Chemistry;1993-12
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