Influence de la polarisation du substrat semi-isolant sur les propriétés électriques du transistor à effet de champ à l'arséniure de gallium et caractérisation de l'interface entre la couche active et le substrat semi-isolant-Reference-Cited by-同舟云学术

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Influence de la polarisation du substrat semi-isolant sur les propriétés électriques du transistor à effet de champ à l'arséniure de gallium et caractérisation de l'interface entre la couche active et le substrat semi-isolant

Published:1978 Issue:10 Volume:13 Page:503-512
ISSN:0035-1687
Container-title:Revue de Physique Appliquée
language:
Short-container-title:Rev. Phys. Appl. (Paris)

Author:

Rossel P.,Tranduc H.,Graffeuil J.,Azizi C.,Nuzillat G.,Bert G.

Publisher

EDP Sciences

Link

http://rphysap.journaldephysique.org/10.1051/rphysap:019780013010050300/pdf

Reference18 articles.

1. Phénomènes de relaxation dans les structures planes épitaxiales à l'arséniure de gallium

Cited by 5 articles. 订阅此论文施引文献订阅此论文施引文献，注册后可以免费订阅5篇论文的施引文献，订阅后可以查看论文全部施引文献

1. Caractérisation de l'interface couche implantée substrat semi-isolant LEC GaAs;Revue de Physique Appliquée;1983

2. Negative differential resistivity in field-effect transistors;IEE Proceedings I Solid State and Electron Devices;1983

3. Effets liés à la présence de centres profonds dans une structure du type TEC au GaAs avec buffer;Physica Status Solidi (a);1980-08-16

4. Low Pressure Organometallic Growth of Chromium-Doped GaAs Buffer Layers;Semi-Insulating III–V Materials;1980

5. Semi-Insulating GaAs — a User’s View;Semi-Insulating III–V Materials;1980

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