Effets liés à la présence de centres profonds dans une structure du type TEC au GaAs avec buffer
Author:
Publisher
Wiley
Subject
Condensed Matter Physics,Electronic, Optical and Magnetic Materials,Condensed Matter Physics,Electronic, Optical and Magnetic Materials
Reference17 articles.
1. Influence de la polarisation du substrat semi-isolant sur les propriétés électriques du transistor à effet de champ à l'arséniure de gallium et caractérisation de l'interface entre la couche active et le substrat semi-isolant
2. Inst. Phys. C;Itoh,1978
3. Deep trapping effects at the GaAs‐GaAs : Cr interface in GaAs FET structures
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1. Surface charge effects on planar submicrometer GaAs and InP devices;IEEE Transactions on Electron Devices;1987-08
2. Existence of ≂64‐meV deep acceptor in Se‐implanted GaAs after close‐contact annealing;Journal of Applied Physics;1984-05-15
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