Influence de la température sur la vitesse limite des porteurs dans un transistor M.O.S. à canal court
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EDP Sciences
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http://rphysap.journaldephysique.org/10.1051/rphysap:01980001505097300/pdf
Reference7 articles.
1. Hot Electron Effects and Saturation Velocities in Silicon Inversion Layers
2. Influence de la contre-réaction thermique sur l'impédance de sortie des transistors MOS à canaux courts
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