Influence de la contre-réaction thermique sur l'impédance de sortie des transistors MOS à canaux courts-Reference-Cited by-同舟云学术

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Influence de la contre-réaction thermique sur l'impédance de sortie des transistors MOS à canaux courts

Published:1979 Issue:11 Volume:14 Page:911-919
ISSN:0035-1687
Container-title:Revue de Physique Appliquée
language:
Short-container-title:Rev. Phys. Appl. (Paris)

Author:

Rossel P.,Gamboa M.,Tranduc H.,Martinot H.

Publisher

EDP Sciences

Link

http://rphysap.journaldephysique.org/10.1051/rphysap:019790014011091100/pdf

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1. Bauformen des MOSFET;MOS-Feldeffekttransistoren;1994

2. A Semi-Classical Model for Simulating Inversion Carrier Transport in Si MOS Devices;Physica Status Solidi (a);1984-02-16

3. Le transistor M.O.S. de puissance en régime de saturation : la résistance de saturation et les effets de faible multiplication;Revue de Physique Appliquée;1982

4. Influence de la température sur la vitesse limite des trous dans un transistor MOS à canal court de type P;Revue de Physique Appliquée;1981

5. Influence de la température sur la vitesse limite des porteurs dans un transistor M.O.S. à canal court;Revue de Physique Appliquée;1980

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