Implantation d'azote à fortes doses dans le silicium monocristallin : doses et conditions de recuit pour l'obtention en profondeur d'une couche homogène isolante
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Published:1980
Issue:3
Volume:15
Page:647-652
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ISSN:0035-1687
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Container-title:Revue de Physique Appliquée
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language:
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Short-container-title:Rev. Phys. Appl. (Paris)
Author:
Bourguet P.,Dupart J.M.
Cited by
4 articles.
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