1. S. Yamamichi, P. -Y. Lesaicherre, H. Yamaguchi, K. Takemura, S. Sone, H. Yabuta, K. Sato, T. Tamura, K. Nakajima, S. Ohnishi, K. Tokashiki, Y. Hayashi, Y. Kato, Y. Miyasaka, M. Yoshida and H. Ono: IEDM Tech. Digest (1995), p.119.
2. A. Yuuki, M. Yamamuka, T. Makita, T. Horikawa, T. Shibano, N. Hirano, H. Maeda, N. Mikami, K. Ono, H. Ogata and H. Abe: IEDM Tech. Digest (1995), p.115.
3. B. T. Lee, K. H. Lee, C. S. Hwang, W. D. Kim, H. Horii, H. -W. Kim, H. -J. Cho, C. S. Kang, J. H. Chung, S. I. Lee and M. Y. Lee: IEDM Tech. Digest (1997), p.249.
4. T. Aoyama, S. Yamazaki and K. Imai: J. Electrochem. Soc. Vol. 145 (1998), p.2961.
5. W. J. Yoo, J. H, Hahm, H. W. Kim, C. O. Jung, Y. B. Koh and M. Y. Lee: Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 35 (1995), p.2501.