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A Surge Current Stable and Avalanche Rugged SiC Merged pn Schottky Diode Blocking 600V Especially Suited for PFC Applications

  • Published:2006-10-15 Issue: Volume: Page:1155-1158
  • ISSN:0255-5476
  • Container-title:Silicon Carbide and Related Materials 2005
  • language:
  • Short-container-title:

Author:

Treu Michael,Rupp Roland,Tai Chee Siew,Blaschitz Peter,Hilsenbeck Jochen,Brunner Helmut,Peters Dethard,Elpelt Rudolf,Reimann T.

Publisher

Trans Tech Publications Ltd.

Cited by 1 articles. 订阅此论文施引文献 订阅此论文施引文献，注册后可以免费订阅5篇论文的施引文献，订阅后可以查看论文全部施引文献

1. Comparing Hexagonal and Circular Cell designs for SiC MPS Diode: The Curvature Effect on Avalanche Capability;2021 IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia (WiPDA Asia);2021-08-25
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