До методики визначення поперечного тензоопору в багатодолинних напівпровідниках

Abstract

Досліджено поперечний (струм у зразка орієнтований перпендикулярно до осі деформації) і поздовжній(струм спрямований уздовж осі деформації) тензоопори високоомних кристалів n-Si. Обчислено параметранізотропії рухливості K для цих двох випадків. Встановлено збіг (у межах похибок експериментів) одер-жаних значень параметра K у разі проходження струму вздовж напрямку деформування і перпендикуляр-но до нього. На кристалах n-Ge підтверджено надійність методики вимірювань поперечного тензоопоруза допомогою обчислення параметра анізотропії рухливості із залученням даних двох незалежних експери-ментів. Одержано хороший збіг значень параметра анізотропії K, обчислених за даними вимірювань тількипоздовжнього тензоопору та за даними вимірювань поздовжнього і поперечного тензоопорів. Експеримен-тально підтверджено, що в умовах сильної направленої пружної деформації стиснення (за відсутностіпрояву компонент деформації зсуву в кристалах n-Si) відбуваються лише відносні зміщення ізоенергетич-них еліпсоїдів у багатодолинних напівпровідниках за шкалою енергій, однак форма еліпсоїдів залишаєтьсяпрактично незмінною.