Механізм відпалу VO дефектів в n-Si при високотемпературному імпульсному електронному опроміненні
-
Published:2022-02-08
Issue:9
Volume:56
Page:922
-
ISSN:2071-0194
-
Container-title:Ukrainian Journal of Physics
-
language:
-
Short-container-title:Ukr. J. Phys.
Author:
Крайчинський А.М.,Красько М.М.,Колосюк А.Г.,Петруня Р.В.,Поварчук В.Ю.,Войтович В.В.,Неймаш В.Б.,Макара В.А.,Руденко Р.М.
Abstract
Досліджено кінетику накопичення комплексу вакансія–кисень (VO) в n-Si, вирощеному методом Чохральського (Cz), при різних інтенсивностях імпульсного 1 МеВ електронного опромінення при температурах, вищих за температуру початку термічного відпалу VO (T ≥ 300 ºC). Показано, що опромінення електронами при таких температурах приводить до прискореного відпалу VO, створених цим опроміненням. Прискорений відпал VO відбувається у процесі дії імпульсу електронів. Максимальна концентрація VO, яка при цьому утворюється, зростає зі збільшенням інтенсивності опромінення і зменшується при збільшенні температури зразків при опроміненні. Запропоновано модель процесу прискореного відпалу, яка ґрунтується на тому, що при електронному опроміненні збуджуються електрони у високоенергетичну долину. При захопленні VO дефектами таких електронів дефектам передається енергія, яка суттєво зменшує енергію активації їх відпалу. Високотемпературна межа ефекту залежить від інтенсивності опромінення і зростає зі збільшенням інтенсивності.
Publisher
National Academy of Sciences of Ukraine (Co. LTD Ukrinformnauka) (Publications)
Subject
General Physics and Astronomy
Reference12 articles.
1. 1. M.M. Kras'ko, A.M. Kraitchinskii, A.G. Kolosyuk, V.B. Neimash, V.A. Makara, R.V. Petrunya, V.Yu. Povarchuk, and V.V. Voytovych, Ukr. J. Phys. 55, 793 (2010). 2. 2. J.-G. Xu, F. Lu, and H.-H. Sun, Phys. Rev. B 38, 3395 (1988). 3. 3. J. Lalita, B.G. Svensson, and C. Jagadich, Nucl. Instr. and Meth. in Phys. Res. B 96, 210 (1995). 4. 4. E. Simoen, J.M. Rafi, C. Claeys, V. Neimash, A. Kraitchinskii, M. Kras'ko, V. Tishchenko, V. Voytovych, J. Versluys, and P. Clauws, Jpn. J. Appl. Phys. 42, 7184 (2003). 5. 5. E. Simoen, C. Claeys, V. Neimash, A. Kraitchinskii, M. Kras'ko, V. Tishchenko, and V. Voytovych, Sol. St. Phenom. 95-96, 367 (2004).
|
|