Вплив легування атомами B, Si та P на електронні властивості кристала AlN з домішкою Mn

Abstract

Розраховано парціальні й повні густини електронних станів кристала AlN з домішкою Mn, додатково легованого атомами B, Si та P, для орієнтацій спінового моменту вниз і вгору. Порівняння густин електронних станів чистого і легованого Mn кристала AlN показує, що завдяки домішці Mn у забороненій зоні з'являються гібридизовані енергетичні стани p- і d-симетрії. Додаткове легування атомами B, Si та P спричиняє зміну густини електронних станів та значень спінових магнітних моментів на всіх атомах кристала.