Preparation of Ge-GaAs Heterojunctions by Vacuum Evaporation
Author:
Publisher
IOP Publishing
Subject
General Physics and Astronomy,Physics and Astronomy (miscellaneous),General Engineering
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1. Ge—GaAs(110) interface formation;Electronic Structure of Semiconductor Heterojunctions;1988
2. On the capacitance of n-V2O5/p-Si heterojunctions;Thin Solid Films;1986-06
3. Active area limitation of Ge/GaAs heterojunctions by means of B ion implantation;Journal of Applied Physics;1986-01-15
4. Controlled doping of rf sputtered germanium films;Applied Physics A Solids and Surfaces;1984-06
5. Surface processes controlling MBE heterojunction formation: GaAs(100)/Ge interfaces;Journal of Vacuum Science and Technology;1982-07
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