Strained SiGe and Si Epitaxy

Author:

Tillack Bernd,Zaumseil Peter

Publisher

CRC Press

Reference37 articles.

1. SiGe-channel heterojunction p-MOSFET's

2. T Ghani, M Armstrong, C Auth, M Bost, P Charvat, G Glass, T Hoffmann, K Johnson, C Kenyon, J Klaus, B McIntyre, K Mistry, A Murthy, J Sandford, M Siberstein, S Sivakumar, P Smith, K Zawadzki, S Thompson, and M Bohr. A 90 nm high volume manufacturing logic technology featuring novel 45 nm gate length strained silicon CMOS transistors. Technical Digest of the IEEE International Electron Devices Meeting, Washington, 2003, pp.978-980.

3. Epitaxial Silicon-Germanium Alloy Films on Silicon Substrates

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