Etch Mechanism Study in Gate Patterning for 14 nm Node and beyond FinFET Devices

Author:

Meng Lingkuan,Yan Jiang

Funder

Chinese National Science and Technology Major Project

Publisher

The Electrochemical Society

Subject

Electronic, Optical and Magnetic Materials

Reference19 articles.

1. Veloso Demuynck S. Ercken M. , IEEE International Electron Device Meeting (IEDM), p.1 (2009).

2. Shang H. Chang L. Wang X. , IEEE symposium on VLSI technology, p.54 (2006).

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4. Auth C. Blattner C. Allen A. Bergstrom D. , IEEE symposium on VLSI technology, p.131 (2012).

5. Natarajan S. Agostinelli M. Akbar S. , IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), p.3.7.1 (2014).

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